量子点浓度提升，辐射发光效率显著提高

在发表于《纳米快报》（Nano Letters）的一项研究中，美国阿贡国家实验室的科研团队证实：在辐射探测与成像技术的纳米粒子闪烁体应用里，量子点（QD）浓度能够促使辐射发光（RL）效率呈二次方增长。

研究人员借助在聚合物中运用 CdSe/CdS 量子点（QDs）开展实验。实验结果显示，即便存在因内滤效应以及粒子间相互作用而引发的光损耗，辐射发光依然随着量子点浓度呈现出超线性增长的态势。在对内滤效应予以校正之后，辐射发光呈现出二次方浓度依赖性，这与提升次级电子捕获率的简易分析模型相契合。

研究人员指出，实际上，高量子点浓度所带来的优势会被光损耗所削弱。不过，他们认为这一研究发现同样适用于其他具备绝缘基质的系统。在论文摘要中，他们如是阐述：“除了通过调控发射达成较大的有效斯托克斯位移之外，未来的优化或许源自具备更高阻止能力以及更优电荷传输性能的基质材料。此类材料能够更为高效地汇集激发能，同时规避与高纳米粒子浓度相关联的附带光损耗。”

永霖光电 - UVSIS - UVLED 紫外线应用专家 - 独家发布