该产品采用H桥电路结构设计，采用高可靠性功率管工艺，特别适合驱动线圈、马达等感性负载。
电路内部集成N沟道和P沟道功率MOSFET，工作电压范围覆盖 8V到32V。27℃，VM=24V条件下SOP8
封装最大持续输出电流达到0.5A，最大峰值输出电流达到 2.0A。
该电路为功率器件，本身具备一定内阻，电路的发热与负载电流、功率管导通内阻以及环境温度密切相关。电路设计有芯片级温度检测电路，实时监控芯片内部发热，当芯片内部温度超过设定值时 (典型值 150℃)，产生功率管关断信号，关闭负载电流，避免因异常使用导致的温度持续升高，进而造成塑料封装冒烟、起火等严重安全事故。芯片内置的温度迟滞电路，确保电路恢复到安全温度后，才允许重新对功率管进行控制。
低待机电流 (小于0.1uA)
工作电压范围：2V-5.5V
最大持续输出电流：2.7A(VDD=4.5V)
最大峰值输出电流：10A(VDD=4.5V)
低导通内阻
—1200毫安输出电流时，内阻0.2欧姆
—300毫安输出电流时，内阻0.15欧姆
较小的输入电流
— 逻辑输入INA\INB集成15K对地下拉电阻
内置带迟滞效应的过热保护电路(TSD)
抗静电等级：2KV (HBM)
