⚡ SemiQ 推出第三代 QSiC MOSFET 新品：涵盖 608A 半桥模块，热阻性能业界领先
碳化硅解决方案开发商SemiQ 公司宣布，进一步扩展其第三代 QSiC MOSFET 产品线。新产品据称在电流密度和热阻方面均达到了行业领先水平。
此次发布共推出了七款器件，包括采用高电流S3 半桥、B2T1 六单元（六-pack）以及B3 全桥封装的模块。
🚀 核心亮点：608A 半桥与极致散热
此次产品扩展旨在满足高功率系统对超高效率转换的日益增长的需求，其核心特性如下：
- 极致电流能力：新品中的S3 半桥模块（标准 62mm 封装）实现了高达608A的电流能力。
- 业界领先的热阻：该系列模块在 S3 半桥封装下的结到壳热阻（Rth(j-c)）低至0.07°C/W。这一优异的热性能使得系统设计可以大幅简化散热需求，提升功率密度。
- 超低导通电阻：全桥模块的导通电阻（RDSon）最低可达8.6mΩ。
📦 三大产品系列详解
表格
| 产品系列 | 关键规格 | 目标应用 |
|---|---|---|
| S3 半桥模块 | 608A电流能力，热阻0.07°C/W | 高功率密度牵引逆变器、储能系统 |
| B2T1 六单元模块 | RDSon 范围19.5 至 82mΩ | 将三相功率级集成于紧凑外壳，优化布局，减少寄生参数 |
| B3 全桥模块 | 120A电流能力，热阻0.28°C/W | 单相逆变器、高压直流-直流（DC-DC）系统 |
🛠️ 第三代技术优势
SemiQ 的第三代芯片技术在可靠性和效率上均有显著提升：
- 更低的栅极电压：得益于第三代芯片18V / -4.5V的栅极电压设计，模块可在比前代产品更低的栅极电压下运行。
- 双重损耗降低：与前代产品相比，SemiQ 第三代技术可将比导通电阻（RONsp）和关断能量损耗（EOFF）均降低30%。
- 严苛的筛选测试：所有器件均经过晶圆级栅极氧化层老化测试（Wafer-level gate-oxide burn-in），以保证栅极氧化层的质量，并且经过了超过1350V的击穿电压测试，确保了器件在高压应用中的可靠性。
这些新产品旨在通过更高的效率、更低的损耗和更强的散热能力，推动电动汽车、工业电源及可再生能源领域功率系统的进一步优化。
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