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211、985硕士，职场15年+
从事结构设计、热设计、售前、产品设计、项目管理等工作，涉足消费电子、新能源、医疗设备、制药信息化、核工业等领域
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本期给大家带来的是关于车载3KW_OBC_IP65 Hipot问题总结与分析研究内容，希望对大家有帮助。
一：IP65 Hipot测试条件
AC-机壳 2.5kV 1min
AC-DC 2.5kV 1min
DC-机壳 2,5kV 1min
二：测试结果分析
Hipot测试Fail，通过查找分析，排除了Thermal pad的绝缘强度问题。排除了金属压条和Main board的接触安规距离问题。通过几次Hipot测试，发现每次经过Hipot测试后，整流桥都损坏。则整流桥部分存在安规问题。
AC-机壳（输入PFC部分）问题如下。
输入PFC部分PCB如下所示
①：通过多次测试，如果将C119和PFC电感插入端子（如上图所示）和MOSFET之间灌满导热粘土，则Hipot测试通过。如下图所示
②：认为这3处和MOSFET之间安规距离不够，由于PFC电感插入端子与MOSFET的D级是同一电气连接关系，则与MOSFET之间不应该出现安规
距离不够问题，测试如下。将MOSFET之间的导热粘土拿掉测试。
测试通过，则排除了PFC电感插入端子和MOSFET之间的距离问题
③：为了排除电感端子和PFC的二极管间距问题，将上面的导热粘土拿掉测试如下
测试通过，则排除PFC电感插入端子和PFC二极管之间距离问题
④：现在则认为是MOSFET之间焊接的管脚一个MOSFET的S级和另外一个MOSFET的G级安规距离不够，测试如下：
测试发现，会出现打火现象，测试不能通过，则在MOSFET焊接管脚之间的安规距离不够。
⑤：为了验证MOSFET焊接管脚之间的安规问题，测试如下：
测试通过，则MOSFET Q100和Q101管脚之间不存在安规问题。
测试不能通过，则Q102和Q103之间的安规距离不够。则PCB布局要做调整。
⑥：为了验证C119与MOSFET间的安规问题。则做如下测试
测试通过，则之前怀疑C119和MOSFET之间安规问题得以解决。
⑦：有关每次做Hipot测试，都会损坏整流桥的问题。通过对整流桥焊接位置和机壳之间空间距离做下比较，可能会出现安全问题。
通过量测右边整流桥BD100焊接的管脚有些偏高。可能与机壳安全距离不够。则在贴Thermal Pad 时将整个整流桥都包含在内，则整流桥和机壳之间加了完整的一层Thermal Pad，应该不会再出现于机壳之间的安全问题。
整流桥PCB部分如下
则从PCB中可以看到，红色圈内两个之间可能存在安规距离不够，焊接管脚和PCB铜箔之间距离只有1.5mm左右。可能会存在问题，
则将那两个管脚之间用导热粘土填满，则如下所示。
测试可以通过。如果将导热粘土拿掉，则会出现很大的吱吱声音，则可以肯定整流桥BD101管脚之间确实存在安全问题。
但是打过Hipot之后，虽然都可以通过Hipot测试，但是整流桥还是被损坏，具体问题出现在哪里，还需要做下一步的验证和分析。从目前测试来看，整流桥PCB layout 和机构安装都可能存在些问题。需要去严格的分析一下。
DC-机壳部分主要是输出二极管焊接时之间的安规距离问题
如下图所示：
在四个二极管之间加导热粘土，则可以通过Hipot测试。
AC-DC在上面两者都通过时，也都可以通过Hipot测试。
三：Hipot目前存在问题
①：整流桥损坏问题，每次Hipot测试，无论通过还是没有通过，都会将整流桥损坏。
②：PCB layout 两个MOSFET之间安全距离。需要Layout做出调整。
③：输出二极管之间的安全问题。Layout作出调整，或者修改方案。
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