什么是电压驱动和电流驱动：
如果负载（接口的接收端）吃电流，就是电流驱动；如果负载是cmos不吃电流，就是电压驱动， lvds,lvpecl,cml 都是负载端有 上下各50Ω电阻，所以吃电流。
为什么电流驱动比电压驱动快：
电流驱动工作在非饱和区（lvds除外），反应快； 电压驱动工作在饱和区，需要时间饱和
为什么 lvds 比其他的电流驱动慢：
在接收端并联了 100Ω终端接收电阻， 这样负载相当于在吃电流，不再是高阻态 ，所以lvds是电流驱动。 但是它是 cmos 电路，工作在饱和区，而lvpecl,cml工作在非饱和区，所以比其他电流驱动（cml和 lvpecl）速度要慢，即使它的摆幅更低理论上应该更快。 好处就是采用cmos工作在饱和区稳定性更高（所以可以更小摆幅），功耗更小，且功耗 恒等于 负载100欧终端电阻的功耗，不随频率升高功耗变大，上下各50欧负载与传输线匹配，没有反射。
cml 和 lvpecl 接口的区别：
lvpecl 比 cml 多了下图中红色的部分，没有分压电阻，所以驱动电流更大，功耗更高
xilinx gth 用的接口： cml， 参考为： 高速串行总线设计基础（八）揭秘SERDES高速面纱之CML电平标准与预加重技术-腾讯云开发者社区-腾讯云
电平设计基础：LVDS&CML 电平_cml信号输入对共模电压要求-CSDN博客
https://wenku.baidu.com/view/05c4ed4284868762cbaed58d.html
https://wenku.baidu.com/view/162b3c774a7302768f993953.html
数字电路电平标准全解析
差分技术：LVDS、MLVDS、CML、LVPECL的区别与应用场景 - 简书（lvds-始终开启的 3.5 mA （典型值）电流源环境中运行）
IO接口标准（3）：HCSL和LPHCSL-CSDN博客（hcsl - pcie）
ECL工作在非饱和区 百度安全验证
LVPECL（low_voltage_positive ECL）和 CML 都是 3.3v - 0v
5G速度 及以上 主要是 ECL 和 CML（ECL CML工作在放大区；；；lvds 当开关使用，始终开启的 3.5 mA （典型值）电流源环境中运行，工作在饱和区和截止区，基极电流变化较大，限制了速度，降低了漏电流和功耗）三极管做开关时为什么要工作在饱和区而不是放大区_用户1223128880_新浪博客
速度 vs 距离
pod 电平是 ddr4 相对于 ddr3 的改进，结构如下图的链接， 主要是将接收端上下拉更改为上拉，高电平时无电流，降低了功耗。Vref 由外部参考改为内部参考。
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