【信息科学与工程学】计算机科学与自动化 第十篇 芯片设计 30

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器件物理方程

晶体管特性建模

半导体物理

MOSFET特性

萨支唐方程 (Shockley Equation)
ID​=21​μn​Cox​LW​(VGS​−Vth​)2(1+λVDS​)

参数与材料科学关联：
-μn​(电子迁移率)：典型值：对于体硅，~1400 cm²/V·s (电子)，~450 cm²/V·s (空穴)。材料关联：由半导体晶格结构、掺杂浓度和温度决定。应变硅、锗、III-V族化合物（如InGaAs）具有更高迁移率，用于提升性能。
-Cox​(单位面积栅氧电容)：Cox​=ϵox​/tox​。典型值